光刻機概念正悄然成為科技界的焦點。讓我們一同回顧2025年，中國在光刻機技術上取得的里程碑式進展：
在28納米節點，上海微電子的深紫外（DUV）光刻機已成功實現量產，實測良品率高達82%。這一突破不僅標志著中國光刻機技術的飛躍，更以“年產百臺”的宏偉計劃，向世界展示了中國制造的強大實力。首臺封裝光刻機已成功交付，為汽車電子、工業芯片等領域提供了堅實的支持，滿足了70%的成熟制程需求。
更為振奮人心的是，自主研發的極紫外（EUV）光刻機Hyperion-1已邁入試產階段。這款采用激光誘導放電等離子體（LDP）技術的光刻機，光源效率高達4.5%，遠超國際同行ASML的2%水平，成本更是降低了30%。Hyperion-1支持5至3納米制程，功率達到50W，而下一代產品Hyperion-2更是計劃將功率提升至150W，預計于2026年面世。
在核心部件方面，中國同樣取得了顯著進展?？埔婧缭吹墓虘B深紫外光源技術，為3納米制程提供了有力支撐；茂萊光學則成功實現了投影物鏡的國產化，打破了國際壟斷；清華大學研發的聚碲氧烷（PTeO）EUV光刻膠，其靈敏度已達到國際領先水平，為中國光刻膠產業的崛起奠定了堅實基礎。
此外，國產光刻機在國內市場的出貨量已占據超過80%的份額，這一成績不僅彰顯了中國光刻機產業的蓬勃發展，更迫使國際巨頭ASML下調了2025年的收入預期。同時，封裝光刻機與硅光芯片技術的結合，進一步降低了對EUV光刻機的依賴，為全球半導體產業格局帶來了深刻變革。
綜上所述，中國光刻機技術正以28納米量產為基礎，EUV試產為突破，核心部件與替代技術雙管齊下，正逐步重塑全球半導體產業的未來。
