GH15基于SiC襯底，非常適合高達35GHz的廣泛軍事、航天和電信應用。它支持高功率、高線性度和高PAE產品的設計。
這項技術表現出3.5W/mm @ 30GHz的出色功率密度和20V的漏極電源。
GH15器件庫包括一整套用于HPA、lna、開關和肖特基二極管的晶體管模型。
| Element | Typical value |
| Vt | -3.2V |
| Idss | 1.2A/mm |
| Ids+ | 1.4A/mm |
| Gm | 390ms/mm |
| VDS_DC | 20V |
| Ft | >35GHz |
| Fmax | >100GHz |
| MIM Density | 175pf/mm2 |
| Metallic resistors | 30 and 1000 Ohms/sq |
| Via-holes | Available on 70μm substrate thickness |
GH15包括MIM電容、電感器、空氣橋、金屬電阻器、穿過襯底的通路和用于互連的兩個金屬層。
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